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电路功能与优势 图1所示电路是一款高速FET输入、增益为5的仪表放大器,具有35 MHz宽带宽和10 MHz时55 dB的出色交流共模抑制(CMR)性能。该电路适用于需要高输入阻抗、快速仪表放大器的应用,包括RF、......
SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P较适用于固定场所使用,例如广告、舞厅舞台等。应用时它的输出端可以外接可控硅直接使用交流220电源来控制彩灯, ......
如图所示为具有高输入阻抗的FET缓冲放大器。该电路利用OPA627内部输入级为FET高阻特性,将两个OPA627构成射随器作为缓冲放大器用于电路输入端,因此具有极高的输入阻抗,电路增益为100。 ......
FET输入高保真运算放大电路OPA604简化原理图:调零接线图: ......
SIC24P用于驱动直流LED应用电路SIC24P用于驱动直流LED应用电路此类IC具有低功耗、强驱动能力等优点,所构成的电路外转元件少、使用方便,可广泛用于广告舞台布置、胸花和室内装饰等方面。 ......
摘要:本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电......
Cree的1.2kV,六组封装的碳化硅(SiC)功率模块系列产品自推出以来一直备受市场青睐,近来Cree公司又针对三相发电系统应用市场推出了最大输出电流可达20A的全碳化硅功率模块CCS020M12CM2,该功率模......
功率半导体领导厂商CREE的碳化硅功率MOSFET C2M0025120D属于N沟道增强型MOSFET,采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造,具有超高耐压,低导通阻抗的特点。该器件漏极-源极之......
Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品,拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET,这一突破900V SiC使我们的产品的新市场......
Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。Wo......