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Cree的1.2kV,六组封装的碳化硅(SiC)功率模块系列产品自推出以来一直备受市场青睐,近来Cree公司又针对三相发电系统应用市场推出了最大输出电流可达20A的全碳化硅功率模块CCS020M12CM2,该功率模......
功率半导体领导厂商CREE的碳化硅功率MOSFET C2M0025120D属于N沟道增强型MOSFET,采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造,具有超高耐压,低导通阻抗的特点。该器件漏极-源极之......
Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品,拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET,这一突破900V SiC使我们的产品的新市场......
Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。Wo......
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直......
Wolfspeed(原科锐公司(CREE))是全球化合物半导体材料、功率和射频器件的著名制造商和行业领先者。CAS300M12BM2是科锐公司最近推出的一款全碳化硅半桥模块,其漏-源极导通电阻为5mΩ,具有明显超过......
2015年3月份,一份由国家能源局制定的草案引爆了整个新能源汽车圈,没错,这份众人期盼已久的草案就是《电动汽车充电基础设施建设规划》。该草案的完成对于汽车充电设施制造商带来说堪称一场“及时雨”。草案提到2020年国内充换......
摘要:双视觉式3D眼镜是采用两个CMOS图像传感器从不同角度同时获取目标对象的两组数字图像数据,然后在显示时基于视差原理,从而恢复出目标物体的三维空间信息。深圳世强代理的MLX75412是具有1024 x 512像素的C......
了解SiC肖特基的演变是选择器件的关键在越来越多的功率电子学应用中,碳化硅 (SiC) 功率器件日益普遍,尤其是在太阳能逆变器的设计中。设计工程师尤为青睐 SiC 肖特基二极管,用于开发新的逆变器设计,因为这比采用硅功率......
英飞凌半导体公司近日推出一款型号为PTFC270051M超宽带大功率LDMOS FET,该器件工作频率范围为900~2700MHz,属于5W级功率放大场效应晶体管,可以满足绝大多数宽射频信号功率放大的要求。PTFC270......