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参考设计

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100W级超大功率射频LDMOS FET

angelazhang 2015-08-13

英飞凌半导体公司近日推出一款型号为PXAC261002FC_V1超大功率射频LDMOS FET，该器件工作频率范围为2496~2690MHz， 最大输出功率可达100W。该款射频LDMOS采用非对称设计，主要针对具......

PXAC261002FC_V1 LDMOS FET

干货福利：SiC器件如何更胜Si器件一筹

angelazhang 2015-08-12

相比于Si，SiC功率器件的性能优势体现在哪些方面？ 硅“统治”半导体器件已50多年，目前仍是最主要的半导体器件材料，但是硅固有的一些物理属性，如带隙较窄、电子流动性和击穿电场较低等特点限......

CAS300M12B2 SiC 导热性能 开关损

SiC Mosfet门驱动光耦，具最大110ns传输延迟

angelazhang 2015-08-10

一直以来，Avago（安华高科技）在多种应用中不断地提供了高性能的门极驱动、隔离放大器产品。这些产品具有低传输延迟、快速 IGBT（硅晶体管） 开关、高共模瞬变抑制能力和加强绝缘能力，非常适合那种微控制器与高电压间......

ACPL-W349 SiC Mosfet门驱动

基于分离输出拓扑结构的高效率SiC-MOSFET功率模块

angelazhang 2015-08-09

随着电力电子技术的不断发展，高频化和高功率密度化已成为电力电子发展的主要研究方向和发展趋势。在单相220V电网小功率应用中,随着600V电力电子器件的不断更新换代,开关频率已经从早期的几Khz发展到现在的几百Khz......

M34x 功率模块 SiC-MOSFET 逆变器

SiC MOSFET半桥模块用于开关电源，系统效率能达到99%

angelazhang 2015-08-09

碳化硅(SiC)材料是近年来快速发展起来半导体材料之一，SiC材料具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高功率密度等等优点， SiC MOSFET在高频和高压的开关电源领域，具有高开关速度、高反向击穿电压，因......

CAS300M12BM2 SiC 碳化硅 MOSF

SiC功率模块关键在价格，核心在技术

angelazhang 2015-08-08

日前，碳化硅（SiC）技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感......

CAS300M12BM2 SiC 碳化硅 MOSF

微电子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展

angelazhang 2015-07-14

近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。 ......

微电子 SiC MOSFET 碳化硅 Si

详解LED PWM调光技术及设计注意点

angelazhang 2015-07-02

加速调光频率PWM实现精准LED调光 无论LED是经由降压、升压、降压/升压或线性稳压器驱动，连接每一个驱动电路最常见的线程就是须要控制光的输出。现今仅有很少数的应用只需要开和关的简单功能，绝大多数都需要从0......

LED PWM FET PWM调光技术

与万用表结合使用的FET Vp、Vas检验器

dolphin 2013-11-25

在OP放太器辰相放大电路中，使梳过反馈回路的电流与输入电阻所确定的电流辊等，因此FET漏极电流，a由栅极电饪V es确定。即0P放火器血构成何假电路，用A，的输出控制反相输入端的电位，使其等于零。 齐纳一极管D。和D,产......

FET Vas 万用表 检验器

FET输入、输入阻抗为1MΩ的AC阻抗变换器

dolphin 2013-11-25

用串联N沟道J -F-ET和PNP晶体管，可以得到电源电压利用率高的电路。栅极电阻Ri，Ri决定了直德工作点，并使Tr2的集电极电压为V oc／2,5fTr1的开路放大倍数约为．5倍。由于，r王的射般电阻为100 0，集......

FET 输入 变换器 输入阻抗
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