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参考设计

首页->SiC 半导体

电源设计说明：线性方案中的 SiC MOSFET

amy2025 2025-05-23

SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，这可能发生在驱动器发生故障的情况下，或者出于某些目的，当设计者编程时会发生这种情况。线性区电子元件的线性区(或有源区)是无法循环所有可用电流......

SiC 电源设计

电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

amy2025 2025-05-20

在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。建立仿真我们将在接下来的测试和模拟中使用一些新一代 SiC 和GaN FET ......

氮化镓 SiC 功率MOSFET

动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

amy2025 2025-05-20

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......

氮化镓(GaN) 碳化硅(SiC)

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性

amy2025 2025-05-16

碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料，未来它肯定会取代硅用于大功率应用。为了更好地管理 SiC 器件，有必要创建一个足够的驱动程序，以保证其清晰的激活或停用。通常，要关闭它，“栅极”和“源极”之间需要大约 20......

SiCMOSFET 碳化硅(SiC)

半导体分立器件I-V特性测试方案

fanxiaoxi 2025-01-03

半导体分立器件是组成集成电路的基础，包含大量的 双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等。 直流I-V测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲线，来决定器 件的基本参数。......

半导体 集成电路 新材料 分立器件IV特性

TL431在开关电源反馈回路中的应用设计

fanxiaoxi 2024-06-21

目录随着半导体行业的发展，开关电源的应用场合不断拓宽。同时，对开关电源的要求也不断提高。高功率密度、小体积、低价格成为开关电源行业的趋势。在半导体技术迅猛发展的背景下，通过选用更加优秀性能的开关管，能够在同样的体积空间下......

半导体 开关电源 稳压器 运放 TL431

MOS管开关电路图分享

fanxiaoxi 2024-06-21

在设计MOS管开关电路时，就要充分了解MOS管的工作原理。在我上一篇文章中，有详细地讲解MOS管的工作原理。大家可以点下面这个标题直接进入，这里就简单地提一下。MOS管工作原理详解MOS管的工作区域从之前的文章中可以知道......

二极管 电路图 开关电路 半导体 MOS管

MOS管开关电路图 MOS管开关电路设计

fanxiaoxi 2024-06-21

在设计MOS管开关电路时，就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱们来详细说明。MOS管的工作区域MOS管有三个工作区域：截止区域线性（欧姆）区域饱和区域当 VGS < VTH时，MOS管工作在截......

开关电路 半导体 MOS管 电子开关 电子电路

开关二极管电路图 开关二极管的工作原理和电路分析

fanxiaoxi 2024-06-18

开关二极管工作原理半导体二极管导通时相当于开关闭合(电路接通)，截止时相当于开关打开(电路切断)，所以二极管可作开关用，常用型号为1N4148。由于半导体二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻......

二极管 电路分析 电路图 半导体 开关二极管

PMOS和NMOS开关电路设计 MOS管做开关的特点和注意点

fanxiaoxi 2024-05-24

一说到开关，我们脑海中首先浮现的就是各式各样的机械开关，常见的有自锁开关、拨码开关、船型开关等等。区别于这类常见的机械开关，我们在电子电路中常用的还有各类半导体开关，例如三极管开关、使用三极管级联的达林顿管开关、MOS管......

三极管 半导体 MOS管 NMOS PMOS
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