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功率半导体领导厂商CREE的碳化硅功率MOSFET C2M0025120D属于N沟道增强型MOSFET,采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造,具有超高耐压,低导通阻抗的特点。该器件漏极-源极之......
CREE的C2M系列碳化硅功率MOSFET C2M0025120D是其第二代Z-FET场效应管。1200V耐压,导通电阻25mΩ,N沟道增强模式,可减小25% 的产品体积,与传统硅变换器相比可减少超过60%的峰值功......