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SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而,了解其在线性状态下的行为是有用的,这可能发生在驱动器发生故障的情况下,或者出于某些目的,当设计者编程时会发生这种情况。线性区电子元件的线性区(或有源区)是无法循环所有可用电流......
在本文中,我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上,这些组件允许创建高效转换器和逆变器。建立仿真我们将在接下来的测试和模拟中使用一些新一代 SiC 和GaN FET ......
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅,因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受,但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......
碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料,未来它肯定会取代硅用于大功率应用。为了更好地管理 SiC 器件,有必要创建一个足够的驱动程序,以保证其清晰的激活或停用。通常,要关闭它,“栅极”和“源极”之间需要大约 20......
以碳化硅(SiC) 技术为动力的下一代功率半导体将满足快速增长的纯电动汽车 (BEV) 市场和充电基础设施的需求,以及对新能效标准、更高工业和可再生能源领域的功率密度和更小的系统尺寸。 为了充分利......
SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P较适用于固定场所使用,例如广告、舞厅舞台等。应用时它的输出端可以外接可控硅直接使用交流220电源来控制彩灯, ......
SIC24P用于驱动直流LED应用电路SIC24P用于驱动直流LED应用电路此类IC具有低功耗、强驱动能力等优点,所构成的电路外转元件少、使用方便,可广泛用于广告舞台布置、胸花和室内装饰等方面。 ......
摘要:本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电......
Cree的1.2kV,六组封装的碳化硅(SiC)功率模块系列产品自推出以来一直备受市场青睐,近来Cree公司又针对三相发电系统应用市场推出了最大输出电流可达20A的全碳化硅功率模块CCS020M12CM2,该功率模......
功率半导体领导厂商CREE的碳化硅功率MOSFET C2M0025120D属于N沟道增强型MOSFET,采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造,具有超高耐压,低导通阻抗的特点。该器件漏极-源极之......