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参考设计

首页->碳化硅(SiC)

电力电子课程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

amy2025 2025-05-16

碳化硅MOSFET基于硅 (Si) 的电力电子产品长期以来一直主导着电力电子行业。由于其重要的优势，碳化硅(SiC)近年来在市场上获得了很大的空间。随着新材料的应用，电子开关的静态和动态电气特性得到了显着改善。理想的开关......

电力电子 碳化硅 GaN

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性

amy2025 2025-05-16

碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料，未来它肯定会取代硅用于大功率应用。为了更好地管理 SiC 器件，有必要创建一个足够的驱动程序，以保证其清晰的激活或停用。通常，要关闭它，“栅极”和“源极”之间需要大约 20......

SiCMOSFET 碳化硅(SiC)

用于 SiC 解决方案设计的模块化评估平台

fanxiaoxi 2023-08-08

 以碳化硅(SiC) 技术为动力的下一代功率半导体将满足快速增长的纯电动汽车 (BEV) 市场和充电基础设施的需求，以及对新能效标准、更高工业和可再生能源领域的功率密度和更小的系统尺寸。  为了充分利......

SiC 半导体

SIC24P用于控制交流彩灯

dolphin 2017-03-14

SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P较适用于固定场所使用，例如广告、舞厅舞台等。应用时它的输出端可以外接可控硅直接使用交流220电源来控制彩灯， ......

SIC 24P 24 控制交流

SIC24P用于驱动直流LED应

dolphin 2017-03-06

SIC24P用于驱动直流LED应用电路SIC24P用于驱动直流LED应用电路此类IC具有低功耗、强驱动能力等优点，所构成的电路外转元件少、使用方便，可广泛用于广告舞台布置、胸花和室内装饰等方面。 ......

SIC 24P LED 24

SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源

不爱吃窝瓜 2016-03-20

摘要：本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电......

SiC Mosfet管 专用电源QA01C

20A输出SiC功率模块：重新定义三相发电系统设计！

angelazhang 2015-12-08

Cree的1.2kV，六组封装的碳化硅（SiC）功率模块系列产品自推出以来一直备受市场青睐，近来Cree公司又针对三相发电系统应用市场推出了最大输出电流可达20A的全碳化硅功率模块CCS020M12CM2，该功率模......

CCS020M12CM2 SiC MOSFET S

持续工作电流高达90A的1200V MOSFET

angelazhang 2015-11-25

功率半导体领导厂商CREE的碳化硅功率MOSFET C2M0025120D属于N沟道增强型MOSFET，采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造，具有超高耐压，低导通阻抗的特点。该器件漏极-源极之......

C2M0025120D 碳化硅MOSFET SiC

更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的应用

angelazhang 2015-11-15

Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品，拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET，这一突破900V SiC使我们的产品的新市场......

SiC MOSFET 高频电力电子 Si MOSF

性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

angelazhang 2015-11-15

Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。Wo......

Si MOSFET SiC MOSFET IGBT
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