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参考设计

首页->碳化硅(SiC)

业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ

angelazhang 2015-11-15

SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直......

C3M0065090J SiC MOSFET 电动汽车

SiC半桥模块问世：材料升级带来超低损耗！

angelazhang 2015-11-07

Wolfspeed(原科锐公司（CREE））是全球化合物半导体材料、功率和射频器件的著名制造商和行业领先者。CAS300M12BM2是科锐公司最近推出的一款全碳化硅半桥模块，其漏-源极导通电阻为5mΩ，具有明显超过......

CAS300M12BM2 半桥模块 SIC 反向

试看新能源汽车的“加油站”如何撬动千亿级市场？

angelazhang 2015-11-07

2015年3月份，一份由国家能源局制定的草案引爆了整个新能源汽车圈，没错，这份众人期盼已久的草案就是《电动汽车充电基础设施建设规划》。该草案的完成对于汽车充电设施制造商带来说堪称一场“及时雨”。草案提到2020年国内充换......

C2M0160120D C3D16065D SiC

重磅推荐：3D眼镜解决方案利器——CMOS图像传感器

angelazhang 2015-10-28

摘要：双视觉式3D眼镜是采用两个CMOS图像传感器从不同角度同时获取目标对象的两组数字图像数据，然后在显示时基于视差原理，从而恢复出目标物体的三维空间信息。深圳世强代理的MLX75412是具有1024 x 512像素的C......

SiC技术 势垒二极管 SiC功率器件 SiC

SiC技术构筑Green未来，Cree引领SiC技术发展

angelazhang 2015-10-28

了解SiC肖特基的演变是选择器件的关键在越来越多的功率电子学应用中，碳化硅 (SiC) 功率器件日益普遍，尤其是在太阳能逆变器的设计中。设计工程师尤为青睐 SiC 肖特基二极管，用于开发新的逆变器设计，因为这比采用硅功率......

SiC技术 势垒二极管 SiC功率器件 SiC

干货福利：SiC器件如何更胜Si器件一筹

angelazhang 2015-08-12

相比于Si，SiC功率器件的性能优势体现在哪些方面？ 硅“统治”半导体器件已50多年，目前仍是最主要的半导体器件材料，但是硅固有的一些物理属性，如带隙较窄、电子流动性和击穿电场较低等特点限......

CAS300M12B2 SiC 导热性能 开关损

SiC Mosfet门驱动光耦，具最大110ns传输延迟

angelazhang 2015-08-10

一直以来，Avago（安华高科技）在多种应用中不断地提供了高性能的门极驱动、隔离放大器产品。这些产品具有低传输延迟、快速 IGBT（硅晶体管） 开关、高共模瞬变抑制能力和加强绝缘能力，非常适合那种微控制器与高电压间......

ACPL-W349 SiC Mosfet门驱动

基于分离输出拓扑结构的高效率SiC-MOSFET功率模块

angelazhang 2015-08-09

随着电力电子技术的不断发展，高频化和高功率密度化已成为电力电子发展的主要研究方向和发展趋势。在单相220V电网小功率应用中,随着600V电力电子器件的不断更新换代,开关频率已经从早期的几Khz发展到现在的几百Khz......

M34x 功率模块 SiC-MOSFET 逆变器

SiC MOSFET半桥模块用于开关电源，系统效率能达到99%

angelazhang 2015-08-09

碳化硅(SiC)材料是近年来快速发展起来半导体材料之一，SiC材料具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高功率密度等等优点， SiC MOSFET在高频和高压的开关电源领域，具有高开关速度、高反向击穿电压，因......

CAS300M12BM2 SiC 碳化硅 MOSF

SiC功率模块关键在价格，核心在技术

angelazhang 2015-08-08

日前，碳化硅（SiC）技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感......

CAS300M12BM2 SiC 碳化硅 MOSF
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