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参考设计

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用于 SiC 解决方案设计的模块化评估平台

fanxiaoxi 2023-08-08

 以碳化硅(SiC) 技术为动力的下一代功率半导体将满足快速增长的纯电动汽车 (BEV) 市场和充电基础设施的需求，以及对新能效标准、更高工业和可再生能源领域的功率密度和更小的系统尺寸。  为了充分利......

SiC 半导体

SIC24P用于控制交流彩灯

dolphin 2017-03-14

SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P用于控制交流彩灯应用电路SIC24P较适用于固定场所使用，例如广告、舞厅舞台等。应用时它的输出端可以外接可控硅直接使用交流220电源来控制彩灯， ......

SIC 24P 24 控制交流

SIC24P用于驱动直流LED应

dolphin 2017-03-06

SIC24P用于驱动直流LED应用电路SIC24P用于驱动直流LED应用电路此类IC具有低功耗、强驱动能力等优点，所构成的电路外转元件少、使用方便，可广泛用于广告舞台布置、胸花和室内装饰等方面。 ......

SIC 24P LED 24

SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源

不爱吃窝瓜 2016-03-20

摘要：本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电......

SiC Mosfet管 专用电源QA01C

20A输出SiC功率模块：重新定义三相发电系统设计！

angelazhang 2015-12-08

Cree的1.2kV，六组封装的碳化硅（SiC）功率模块系列产品自推出以来一直备受市场青睐，近来Cree公司又针对三相发电系统应用市场推出了最大输出电流可达20A的全碳化硅功率模块CCS020M12CM2，该功率模......

CCS020M12CM2 SiC MOSFET S

持续工作电流高达90A的1200V MOSFET

angelazhang 2015-11-25

功率半导体领导厂商CREE的碳化硅功率MOSFET C2M0025120D属于N沟道增强型MOSFET，采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造，具有超高耐压，低导通阻抗的特点。该器件漏极-源极之......

C2M0025120D 碳化硅MOSFET SiC

更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的应用

angelazhang 2015-11-15

Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品，拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET，这一突破900V SiC使我们的产品的新市场......

SiC MOSFET 高频电力电子 Si MOSF

性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

angelazhang 2015-11-15

Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。Wo......

Si MOSFET SiC MOSFET IGBT

业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ

angelazhang 2015-11-15

SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直......

C3M0065090J SiC MOSFET 电动汽车

SiC半桥模块问世：材料升级带来超低损耗！

angelazhang 2015-11-07

Wolfspeed(原科锐公司（CREE））是全球化合物半导体材料、功率和射频器件的著名制造商和行业领先者。CAS300M12BM2是科锐公司最近推出的一款全碳化硅半桥模块，其漏-源极导通电阻为5mΩ，具有明显超过......

CAS300M12BM2 半桥模块 SIC 反向
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