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碳化硅(SiC)材料是近年来快速发展起来半导体材料之一，SiC材料具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高功率密度等等优点， SiC MOSFET在高频和高压的开关电源领域，具有高开关速度、高反向击穿电压，因......
日前，碳化硅（SiC）技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感......
近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。 ......
本文介绍了一种基于磁阻传感器的车流量检测系统，磁阻传感器能将车辆引起的地磁扰动转换为清晰的电压信号输出。该系统包含了信号放大模块、无线通信模块等，多个地磁传感器节点通过无线通信模块与计算机系统相连，将检测到的车流信息反馈......
英飞凌汽车HID前灯镇流器及PFC控制解决方案主要由5个MOSFET、2个高电压驱动器、1个PFC控制器和1个HID灯镇流器控制器构成，具体电路如下图所示。 ......
如今，汽车用户越来越关注油耗，期望节省燃油支出，而这也能帮助减少对环境的影响。为了了配合此趋势，汽车制造商们纷纷采用各种途径来降低油耗，其中一种途径就是在新车型中应用自动“启动/停止”(Start/Stop)功能，......
方案概述 MRF6V3090NR1、MRF6V3090NBR1、MRF6V3090NR5和MRF6V3090NBR5专为频率470-860MHz的商用和工业宽带......
方案概述 MRF6VP3450HR6、MRF6VP3450HSR6、MRF6VP3450HR5和MRF6VP3450HSR5专为频率470-860MHz的宽带商......
方案概述 UHF频段范围从470 MHz到860 MHz，广播公司使用这些频段传输无线电视信号。MRFE6VP8600HR6和MRFE6VP8600HSR6为4......
方案概述 MRFE6S9045NR1专为频率达1000MHz的宽带商用和工业电子应用而设计，该器件的高增益和宽带性能使其非常适合28V基站设备中的大信号共源放大......
angelazhang 2015-08-09
angelazhang 2015-08-08
angelazhang 2015-07-14
angelazhang 2015-07-08
不爱吃窝瓜 2015-06-26
