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参考设计

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基于电流非隔离降压转换器设计使用的eGaN FETs

angelazhang 2016-02-11

设计和建造隔离，降压DC/DC转换器在可实现标准的5伏输出使用硅MOSFET但具有有限的性能宽输入电压范围和高输出电流，特别是在低负荷和高输入电压。更重要的是，硅成熟，从宽输入降压型DC / DC转换器挤出更多的果......

DC/DC 转换器 MOSFET

开关电源设计：何时选择BJT优于MOSFET？

angelazhang 2016-02-10

MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压(大于 1kV)是使用BJT而非MOSFET......

开关电源 BJT MOSFET

20A输出SiC功率模块：重新定义三相发电系统设计！

angelazhang 2015-12-08

Cree的1.2kV，六组封装的碳化硅（SiC）功率模块系列产品自推出以来一直备受市场青睐，近来Cree公司又针对三相发电系统应用市场推出了最大输出电流可达20A的全碳化硅功率模块CCS020M12CM2，该功率模......

CCS020M12CM2 SiC MOSFET S

持续工作电流高达90A的1200V MOSFET

angelazhang 2015-11-25

功率半导体领导厂商CREE的碳化硅功率MOSFET C2M0025120D属于N沟道增强型MOSFET，采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造，具有超高耐压，低导通阻抗的特点。该器件漏极-源极之......

C2M0025120D 碳化硅MOSFET SiC

更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的应用

angelazhang 2015-11-15

Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品，拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET，这一突破900V SiC使我们的产品的新市场......

SiC MOSFET 高频电力电子 Si MOSF

性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

angelazhang 2015-11-15

Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。Wo......

Si MOSFET SiC MOSFET IGBT

业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ

angelazhang 2015-11-15

SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直......

C3M0065090J SiC MOSFET 电动汽车

SiC半桥模块问世：材料升级带来超低损耗！

angelazhang 2015-11-07

Wolfspeed(原科锐公司（CREE））是全球化合物半导体材料、功率和射频器件的著名制造商和行业领先者。CAS300M12BM2是科锐公司最近推出的一款全碳化硅半桥模块，其漏-源极导通电阻为5mΩ，具有明显超过......

CAS300M12BM2 半桥模块 SIC 反向

试看新能源汽车的“加油站”如何撬动千亿级市场？

angelazhang 2015-11-07

2015年3月份，一份由国家能源局制定的草案引爆了整个新能源汽车圈，没错，这份众人期盼已久的草案就是《电动汽车充电基础设施建设规划》。该草案的完成对于汽车充电设施制造商带来说堪称一场“及时雨”。草案提到2020年国内充换......

C2M0160120D C3D16065D SiC

重磅推荐：3D眼镜解决方案利器——CMOS图像传感器

angelazhang 2015-10-28

摘要：双视觉式3D眼镜是采用两个CMOS图像传感器从不同角度同时获取目标对象的两组数字图像数据，然后在显示时基于视差原理，从而恢复出目标物体的三维空间信息。深圳世强代理的MLX75412是具有1024 x 512像素的C......

SiC技术 势垒二极管 SiC功率器件 SiC
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