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参考设计

首页->LDMOS

适用于1930-1995MHz的240W大功率LDMOS

angelazhang 2016-03-02

英飞凌近期推出适用于1930-1995MHz的240W大功率LDMOS PXAC192908FV，该器件采用Push-Pul结构，更适合于高峰均比下的Doherty功放,支持1930-1995MHz频段的各种制式的......

LDMOS 英飞凌 Push-Pul

具备高度一致性和可靠性的射频功率晶体管

angelazhang 2015-11-22

英飞凌的50V LDMOS技术可以实现功放设计的最高性能和质量，可应用于高可靠性和坚固性要求的场合。通过超过十年的LDMOS生产经验，英飞凌提供高度一致性和可靠性的高功率晶体管产品。经过扩充的产品线包括了可应用于5......

通用放大器 射频功放 LDMOS 射频功率管

覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS

angelazhang 2015-11-09

国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS，器件型号为PXAC203302FV。该器件适用于1880-2025MHz频段，可以用于基站多载波射频功率放......

PXAC203302FV LDMOS 射频功率放大器

射频炉？LDMOS扮演重要角色的微波炉革命！

angelazhang 2015-10-28

“妇女解放者”传统微波炉——功能有限、缺点多多自1967年美国第一台消费级微波炉诞生后就逐渐走入千家万户，还被称为“妇女解放者”，成为了广受欢迎的小家电。至今，虽然取得了相应的技术进步包括：缩减成本与空间，定速升级变频，......

PTFC27010 LDMOS 射频功率器件 射

超宽带5W LDMOS，2GHz频段时增益仍高达22dB

angelazhang 2015-10-09

英飞凌半导体公司近日推出一款型号为PTFC270051M超宽带大功率LDMOS FET，该器件工作频率范围为900~2700MHz，属于5W级功率放大场效应晶体管，可以满足绝大多数宽射频信号功率放大的要求。PTFC270......

PTFC270051M LDMOS FET 大功

100W级超大功率射频LDMOS FET

angelazhang 2015-08-13

英飞凌半导体公司近日推出一款型号为PXAC261002FC_V1超大功率射频LDMOS FET，该器件工作频率范围为2496~2690MHz， 最大输出功率可达100W。该款射频LDMOS采用非对称设计，主要针对具......

PXAC261002FC_V1 LDMOS FET
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