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一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有......
复合 BJT 的组态在实际使用中，有时为了获得更高的等效电流放大系数或获得合适的极型等目的，可以将 PNP 、 NPN 管复合 使用： 上面的四种组合是最简单的常用组合，其最大特点就是等效 hfe=hfel*hfeZ......
在功率放大器中，晶体管因 BC 结反向电压可观，本身要消耗一部分直流功率，称为管子的热管耗。若管耗超过它的散热能力，其结温就免不了要升高。结温生高会引起集电极电流增加，进一步使结温增加，形成恶性循环。结温升高到极限值之外......
介绍场效应晶体管与 BJT 在工作过程中有很大区别： BJT 中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子” , FET 中的电荷则是数目相对多几个数量级的自由电子，“多子”。......
74系列：：74LS00 TTL 2输入端四与非门74LS01 TTL 集电极开路2输入端四与非门74LS02 TTL 2输入端四或非门74LS03 TTL 集电极开路2输入端四与非门74LS04 TTL 六反相器74L......
PIN光电二极管是在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体(semiconductor)，形成P-I-N结构而得名，如图12.1所示： 如图12.1所示，处于反偏状态的器件，电源在PN结形成的电场E与内建电场E......
一、电阻 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 1、参数识别：电阻的单位为欧姆（&......
当耗尽区中的场强达到足够大（~3*1O^5V/cm）时，光生载流子将被加速到很高的速度，在运动过程中与晶格中的原子碰撞时会使之电离，产 生额外的电子空穴对。这些新生电子和空穴也被加速，发生新的碰撞和电离，产生更多的电子一......
2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz ......
单个光电二极管作为接收器件使用常常很难实现高灵敏度，在要求高的场合经常将其与前端放大器集成在一个单片电路上并用金属屏蔽体密封。在高阻抗设计中，由于场效应管FET输入阻抗高，常被选为前端晶体管，与PIN管构成所谓的PIN-......
dolphin 2011-05-03
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dolphin 2011-05-03
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