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介绍晶体三极管的出现具有划时代的意义，它使电子电路从电子管时代一下子跃进了“矿石”时代，大大推进了电子设备体积的缩小以及性能的提高，更进一步出现了集成芯片。以及今天的奔腾处理器这样高集成度的半导体......
晶体管型号资 料反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型MJ10012 400V10A175W**NPN(达林顿)MJ10015 400V50A200W**NPNMJ10016 500V50A200W**......
器件的伏安特性是指器件的电压一电流转移关系。 BJT 的伏安特性主要用来定性说明晶体管各极电流与电压的关系，最常用的特性分为输入特性和输出特性两种。这里介绍应用最广泛的共发射极接法的输出、输入特性曲线。 BJT 的CE接......
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电......
BJT 的参数是表明 BJT 性能的数据以及描述 BJT 安全使用范围的物理量，是正确、可靠使用 BJT 的基础。这里介绍几个常用、设计时必须了解的参数： [ l ］共发射极电流放大系数B它分为两种：直流Bd=Ic/Ib......
CT---势垒电容Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容......
在实际电路中， BJT 以其不同的接法适用于不同的场合；前述的 CE 接法有较高的放大倍数以及适中的输入、输出阻抗，常用于主放大电路；除此之外，还有适用于高频电路的 CB 接法，适用于阻抗变换以及级间隔离的 CC 电路，......
Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容Cce---发射极接地输出电容Ci---输入电容Cib---共基极输入电容Cie---共发射极输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cieo---共发射极开路输入电容......
BJT 的 H 参数模型主要用于 BJT 的中频电路计算，是几种参数中，精度适中，相对方便的一种模型，下面介绍四个 H 参数的意义： 图 1 . 9 等效 H 参数模型 图 1 . 9 中，对于工作频率尚未达到晶体管的......
一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有......
dolphin 2011-05-03
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