场效应管主要参数(VP,VOO等)检验器电路图

电路的功能

场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，用转换开关选择电阻R1~3，设定工作电流，R值可用R=15/ID计算。
电路工作原理
在OP放大器反相放大电路中，使流过反馈回路的电流与输入电阻确定的电流相等，因此FET漏极电流EB由栅极电压VGS确定。即OP放大器A1构成伺服电路，用A1的输出控制反相输入端的电位，使基等于零。
齐纳二极管D3和D4产生±9V的电压对被测对象（DUT）的栅极电压进行拖箝位使电路不至加异常电压。R5是限流电阻，用来控制栅极电流，使基不至过大（通常几乎无电流流过）。
FET有N沟道和P沟道两种型式，因此可用SW1切换输入电压的极性，满足这两种型号的需要。测试开关SW2在无DUT时，栅极端子电压高于夹断电压，OP放大器的输出对于NOA来说为负，对于POH为正，在进行正常测试时，OP放大器输出为VGS。工作电流ID为1UA时，R1=15/10的-6次方=15M，IB=100UA时，R2=15/10的-4=150K，ID为1MA时，R3=15/10的3次方=15K，应根据使用要求计算R1~R3。

注释
FET的自编电路
图中所示为普通N沟通J-FET自偏电路，由于夹断电压VP或漏极饱和电流IDSS的误差，使置偏点Q发生变化。
若把源极电阻RS两端产生的电压作为栅极置偏，设定Q点，考虑VP和IDSS的影响后，可用下式大约计算出RS

RS越大，越能吸收误差，但由于受工作电流IDQ的限制，须选用适当的阻值或改用固定置偏电路。