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下图所示为采用场效应晶体管作为消音管的耳机电路。来自数字信号处理电路的L、R音频信号经消音控制电路送到耳机接口,Ql、Q2场效应晶体管的漏极分别接到L、R信号的输入线上,当控制电路送来消音控制电压时,Ql、Q2导通,将......
1、测量 极性及管型判断 红笔接S、黑笔接D值为(300-800)为N沟道 红笔接D、黑笔接S值为(300-800)为p沟道 如果先没G、D再没S、D会长响,表笔放在G和最短脚相连放电,如果再长响为击穿 贴片场管......
根据偏置电路形式,场效应管放大电路的直流通路分为自给偏压电路和分压式偏置电路。 一、自给偏压电路 用N沟道结型场效应管组成的自给偏压电路如图Z0217所示。 自给偏压原理:在正常工作范围内,场效应管的栅极几乎不取电流,......
场效应管有三个电极,即S(源极)、G(栅极)、D(漏极)。在G、S和G、D极间分别形成两个PN结。场效应管分两类:一类是结型场效应管(J—FET管),另一类是绝缘栅场效应管(MOS管)。MOS管又有&ldq......
(1)低频小信号模型或H参数模型只适用于分析放大电路的低频参数,此时,三极管或场效应管的极间电容和结电容可以忽略不计。如要求分析放大电路工作在高频条件下的性能指标,则应采用高频小信号模型。(2)低频小信号模型是对放大管特......
VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左......
所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H 桥电路,它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成,所以它叫P-NMOS 管H 桥。 桥臂上的4 个场效应管相当于四个开关,P 型......
概述 场效应晶体管:英文名称为Field Effect Transistor,缩写为FET,简称场效应管。 各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料,可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道,就是电流通道。 半导......
场效应管是较新型的半导体材料,利用电场效应来控制晶体管的电流,因而得名。它的外型也是一个三极管,因此又称场效应三极管。它只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划......
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化......