赛普拉斯65 nm异步PowerSnooze™ SRAM的省电功能探讨

   随着移动技术和便携式电池供电设备的使用，功率消耗已成为系统设计中关键因素之一。系统设计人员要面对的困境有为系统的微控制器/ASIC、外设和存储器设备选择更快的运行速度还是选择更低的功耗。  

       部分厂商的微控制器具有特殊的低功耗模式，如深度掉电和深度睡眠模式。运行在这些控制器上的应用程序可以通过这些特性来省电。控制器在正常工作模式下可以全速运行，一旦进入低功耗模式则可以节省功耗。在低功耗模式中，还希望外设和存储器设备能够节省电源。但该特性对于连接到这个系统的存储器设备是个挑战。通常，异步SRAM作为片外缓存存储器、暂存器存储器使用，或使用在其它需要更快存取时间（10纳秒的数量级时间）的场合中。  

       快速SRAM的存取时间从10 ns到20 ns，但是在活动和待机模式中需要消耗很大的电源。为降低待机功耗，系统设计者选择的是低功耗SRAM。但这些低功耗SRAM的存取时间却很长，约从45 ns到70 ns。目前，系统设计者需要兼顾两者：存储器接口的快速存取时间，以及系统闲置时的低功耗。  
赛普拉斯的65 nm异步SRAM和其PowerSnooze™特性为系统设计者提供了两全其美的方案，使高速低功耗器件得到实现。

真正的快速、低功耗异步SRAM 
        赛普拉斯的65 nm异步SRAM具有PowerSnooze特性，它允许系统设计者在同一个芯片上得到存取时间又短，功耗又低的优点。订购代码中有‘S’字符的赛普拉斯SRAM（例如，CY7S1061G30 表示16 Mb 异步快速PowerSnooze SRAM）除了具有传统的异步SRAM接口引脚，还具有额外的输入引脚，这些引脚被称为DS。DS引脚是用户控制的，所以用户可以在运行过程中更改SRAM的工作模式。 

        正常操作中，如果SRAM处于活动模式，则控制器/ASIC/FPGA可以以全速度100  MHz进行存取数据（存取时间为10 ns）。但是，控制器进入低功耗模式时，可以控制DS引脚将SRAM进入深度睡眠模式。在深度睡眠模式下，这些SRAM在85 ºC温度时会消耗大小为22 µA的电流（对于16  Mb  SRAM），因此，真正体现了该器件高速低功耗的特点。图1显示的是x16 I/O 接口的16 Mb PowerSnooze SRAM的简单结构。