高速数据线保护首选的超低负载电容二极管阵列

功能与特色:
• 0.35pF超低电容
• 0.7Ω低动态电阻
• 最大VRWM条件下的泄漏电流极低: <10nA(典型值),100nA(最大值)
• ESD,IEC61000-4-2: ±20kV接触放电,±30kV空气放电
• 小型封装: 封装尺寸0402(SP3022-01ETG),0201倒装芯片(SP3022-01WTG)
• 符合AEC-Q101标准: 封装尺寸0402(SP3022-01ETG)
优势:
• 最小化信号衰减,为工程师的设计提供更多的信号余量。
• 提供低于类似方案30%的钳位性能,为敏感芯片组提供更好的保护。
• 超低漏电流,保护电池寿命和信号完整性。过大的漏电流相当于在高速差分信号上增加了一个电容。
• 极好的硅ESD防护,允许在最具挑战性的环境下保证产品健康工作;相比现有的硅方案性能提升15%,相比其他替代方案性能提升60%。
• 节省宝贵的PCB空间,简化PCB布局,可用于手机之类空间受限产品的保护。
• 汽车级品质保证在最严苛的环境下最大化可靠性。
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