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参考设计

首页->氮化镓(gan)器件

使用高压 GaN 器件提高电源可靠性

amy2025 2025-06-06

氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 提高了转换器效率，与具有相同额定电压的硅 FET 相比，具有更低的栅极电荷、更低的输出电荷和更低的导通电阻。在总线电压大于 380V 的高压 DC/DC 转换器应用中......

GaN 电源

数字电源控制推进 GaN PFC 设计

amy2025 2025-05-23

我最近与您分享了TI 全新 Piccolo™ F28004x 微控制器 (MCU) 系列的生产公告，该系列针对电源控制应用进行了优化。Piccolo F28004x 用于高性能电源控制的主要特性包括：·片上窗口比较器。·......

电源控制 GaN

电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

amy2025 2025-05-20

在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。建立仿真我们将在接下来的测试和模拟中使用一些新一代 SiC 和GaN FET ......

氮化镓 SiC 功率MOSFET

动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

amy2025 2025-05-20

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......

氮化镓(GaN) 碳化硅(SiC)

电力电子课程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

amy2025 2025-05-16

碳化硅MOSFET基于硅 (Si) 的电力电子产品长期以来一直主导着电力电子行业。由于其重要的优势，碳化硅(SiC)近年来在市场上获得了很大的空间。随着新材料的应用，电子开关的静态和动态电气特性得到了显着改善。理想的开关......

电力电子 碳化硅 GaN

光电耦合器详细资料(图解)

dolphin 2017-08-22

光电耦合器详细资料(图解) 把发光器件和光敏器件按适当方式组合，就可以实现以光信号为媒介的电信号变换。采用这种组合方式制成的器件称为光电耦合器。光电耦合器一般制成管式或双列直插式结构，由于发光器件和光敏器被相互绝缘地分置......

图解 资料 详细 光电 耦合 器件

LED光柱显示器件的控制电路图

dolphin 2017-08-21

　LED光柱显示器由显示光棒和驱动电路组成，显示光棒能显示一条和被测模拟量成正比的光带，其特点足：显示消晰，线距均匀，防震，防磁，抗冲击，寿命长，可靠性高，驱动电压低，功耗低，能在光线较暗的场合或晚上观察。 　　LED光......

LED 光柱 显示 器件 控制 电路图

功率晶体管（GTR）

dolphin 2017-08-02

功率晶体管是一种高反压双极性大功率晶体模块。具有自关断能力，开关时间短，饱和压降低 和安全工作区宽等优点。已生产出功率晶体管集成组合器件，一种是单片达林顿(Darlington)晶体管，如右图 所示，一种是由几个达林顿晶......

功率 晶体 器件 组合 林顿 模块

MC34063中文资料

dolphin 2017-04-13

该器件本身包含了DC/DC变换器所需要的主要功能的单片控制电路且价格便宜。它由具有温度自动补偿功能的基准电压发生器、比较器、占空比可控的振荡器，R—S触发器和大电流输出开关电路等组成。该器件可用于升压变换器、......

MC34063 中文 资料 器件 本身 包

可编程逻辑器件设计组合逻辑电路

dolphin 2017-04-13

二、用PLD器件实现时序逻辑电路　例：试用GAL16V8设计一个具有同步清零，同步置数和保持功能的8421编码的十进制可逆计数器。　解：设待设计的8421BCD码十进制可逆计数器如图所示，其中QC和QB是计数器的进位及......

可编程 逻辑 器件 设计 组合 电
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