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碳化硅(SiC)材料是近年来快速发展起来半导体材料之一，SiC材料具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高功率密度等等优点， SiC MOSFET在高频和高压的开关电源领域，具有高开关速度、高反向击穿电压，因......
日前，碳化硅（SiC）技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感......
近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。 ......
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这是考毕兹晶体振荡器电路。它是适合用于低频率的晶体振荡器电路。这个电路使用的2N3823 JFET，具有出色的稳定性，因为温度变化不会2N3823 JFET电路的负载 。下面是电路： ......
低漂移高阻抗JFET直流电压表电路原理图中显示有很高的阻抗，低漂移。该电路采用一对jfet。......
JFET电压表电路这个非常简单的电压表在一个桥电路中使用一个50pA的表头。它对于非关键应用是很有用的(点击放大)。......
图１－１为接合型ＦＥＴ ２ＳＫ１２５（SONY）闸极接地放大电路之例子，２ＳＫ１２５之电极配置系中央为闸极，所以利用於闸极接地电路时，在印刷铜箔上利用闸极之接地电极能使输入输出分离。电路的功率增益大约在１０～１２ｄＢ，Ｎ......
通过PC声卡通常具有麦克风输入，扬声器输出，有时线路输入和输出。麦克风输入阻抗设计，只有在动态麦克风200至600欧姆范围。拉扎尔已适应声卡使用一个共同的驻极体传声器使用该电路。他提出了一个复合放大器使用两个晶体管。......
angelazhang 2015-08-09
angelazhang 2015-08-08
angelazhang 2015-07-14
dolphin 2012-07-27
dolphin 2012-07-19
