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碳化硅(SiC)材料是近年来快速发展起来半导体材料之一，SiC材料具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高功率密度等等优点， SiC MOSFET在高频和高压的开关电源领域，具有高开关速度、高反向击穿电压，因......
日前，碳化硅（SiC）技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感......
近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。 ......
angelazhang 2015-08-09
angelazhang 2015-08-08
angelazhang 2015-07-14