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氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 提高了转换器效率,与具有相同额定电压的硅 FET 相比,具有更低的栅极电荷、更低的输出电荷和更低的导通电阻。在总线电压大于 380V 的高压 DC/DC 转换器应用中......
我最近与您分享了TI 全新 Piccolo™ F28004x 微控制器 (MCU) 系列的生产公告,该系列针对电源控制应用进行了优化。Piccolo F28004x 用于高性能电源控制的主要特性包括:·片上窗口比较器。·......
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅,因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受,但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......
碳化硅MOSFET基于硅 (Si) 的电力电子产品长期以来一直主导着电力电子行业。由于其重要的优势,碳化硅(SiC)近年来在市场上获得了很大的空间。随着新材料的应用,电子开关的静态和动态电气特性得到了显着改善。理想的开关......
实现更加高效的电力转换是应对当前增长的人口和能源需求的一个关键技术目标。 能够有效推动这一目标达成的重要创新就是在电源应用中使用氮化镓 (GaN)。GaN是一种已经成熟的半导体材料,广泛应用于LED照明......
Silicon Labs旗下的Bluegiga是短程无线网络连接解决方案领导厂商,该公司近日推出了一款新的WiFi模块——WF121,具有卓越的射频性能和齐全的认证资格。WF121的传输功率达到+17dBm,最大的......
尺寸仅3 x 3mm,支持全球所有有线和地面STB标准 Silicon Labs作为全球机顶盒技术领导厂商,在数字机顶盒调谐器市场占有庞大的市场份额。近日,该公司发布了业界最先进的数字机顶盒(STB)调......
Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品,拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET,这一突破900V SiC使我们的产品的新市场......
Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。Wo......
在各种混合信号产品领域居于世界领先地位的Silicon Labs公司近日为USB以及HID-USB提供低成本且精巧的USB连接方案--CP21XX桥接芯片系列。该系列芯片能够广泛应用于个人医疗设备、手机、智能卡和存......