首页->gan-on-si
近日,中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展,成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。 ......
1、概述 Si Tuner方案完全采用COMS工艺制造、DSP数字信号处理,无需外部滤波电感、电容,无需工人校准,高效节约生成人工成本,并保持良好的一致性。Tuner部分可支持全球所有制式地面/有线......
一、晶体管基础 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流 I......
......
SI-8000S的内部等效电路如下图所示: ......