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一个凌特科技的LTC1154被用作电荷泵,从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。......
简易V-MOSFET调光灯电路如图所示,它是利用V-MOS场效应管输入阻抗极高的特点,通过调节V-MOS管栅极偏压,以控制流过灯泡的电流,从而达到改变灯泡发光亮度的目的。E功率要求不大于60W. ......
其关键参数:C1=1μF、35V,C2=470μF、35V,C3=0.1μF、35V,R1=4.7KΩ,R2=100KΩ,R3=220KΩ,R4=20Ω,R5=1KΩ,Rg=220Ω,Rp=10Kdp。......
接地的外流科尔皮兹振荡器的输出使用美国无线电公司的N通道双栅场效应管,Q1是由CR1检测的,被Q2放大,可用来驱动振荡器。振荡频率是由C1,C2,C3和L1决定的,当L1减小时,频率可达到250MHz。表格给出了9个频率......
MOSFET的第二个门可以被用来把一个晶体振荡器并入到一个与混频器一样的状态。尽管是老式的电子管,这个设计图在双门MOSFET电路中是很少见到的。L3,C3和XI形成晶体振荡器,T2是一个IF输出变压器。T1和C1被调谐......
MOSFET管IR2153应用电路,本电路榘蚴诫路的涌刂撇糠荨 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemicONductor Field-Effect Transist......
原理:如上图是由晶体管等构成的功率MOSFET栅极驱动电路。该电路由两个正向变换器构成:一个是对功率MOSFET栅极电容充电的变换器;另一个是对其栅极电容放电的变换器。推荐的电源电压为12一15V。在驱动脉冲的上升......
如图是由晶体管等构成的功率MOSFET栅极驱动电路。该电路由两个正向变换器构成:一个是对功率MOSFET栅极电容充电的变换器;另一个是对其栅极电容放电的变换器。推荐的电源电压为12一15V。在驱动脉冲的上升沿,VT5......
如图是由MOSFET等构成的自激式降压型斩波器电路。A1加正反馈进行振荡,其振荡频率由扼流圈L1和正反馈电阻R1决定。当振荡频率高到2OOkHZ时,扼流圈和滤波电容可小型化,输出变动的响应特性也可得到改善。开关元件V......
图是由功率MOSFET等构成的电动饥伺服放大器。由Gl一G3等构成MOSFET栅极驱动用升压电路,振荡频20KHz,由Rl和Cl决定。由G4、G5等构成基准脉冲发生电路,RP1用于调节中点电压,Ui为控制输入信号;......