首页->场效应管(MOSFET)检测方法与经验
为了提高系统可靠性并降低保修成本,设计人员在功率器件中加入故障保护电路,以免器件发生故障,避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现,但是在更多情况下,设计人员使用完全自保护的MOSFET......
在节能环保意识的鞭策及世界各地能效规范的推动下,提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比,双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等......
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通(ZVS),MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS,需要满足以下三个基本条件:1)上下开关管50%占空比,......
碳化硅设备或设备因在不久的将来有可能在电力电子设备(特别是大功率转换器应用)中替代硅的传统设备而闻名。1由于宽带隙的可用性,高功率密度,较低的电阻和快速的开关频率,所有这些都是可能的。高可靠性电源系统需要复杂,苛刻和复杂......
场效应管放大电路图(一)图3-26所示是一种超小型收音机电路,它采用两只晶体管,这种电路具有较高的灵敏度。图3-26场效应管在袖珍收音机电路中的应用该电路中,电池作为直流电源通过负载电阻器R1为场效应管漏极提供偏置电压,......
场效应管的识别方法及测量一、 符号: “Q、VT” ,场效应管简称FET,是另一种半导体器件,是通过电压来控制输出电流的,是电压控制器件 场效应管分三个极: D极为漏......
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(juncTIon FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconduc......
场效应管稳压电路图(一)图所示的是采用功率场效应管组成的简易稳压电源电路。稳压二极管VD1及RP1组成一可调恒压源,向VT3提供参考电压,VT2、VT3组成比较放大器,VT1为调整管。该电路的输出电压可在1.5~15V范......
IR2110应用的典型连接图 IR2110的典型应用连接见图12-37。通常,它的输出级的工作电源是一悬浮电源,这是通过一种自举技术由固定的电源得来的。充电二极管VD的耐压能力必须大于高压母线的峰值电压,为了减小功......