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摘要:本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电......
动翻译,供参考 FRAM芯片扩展耐力在低功耗应用 虽然EEPROM和闪存通常都被用于非易失性存储器(NVM)的最佳选择,在大多数应用中,铁电RAM(FRAM)提供了许多低功耗设计在能量收集应......
中国人口老龄化进程正持续加快中:据联合国 2010 年的世界人口展望,2010 年中国 60 岁以上人口所占百分比为 12.3%,预计到 2030 年将增至 24.4%,到 2050 年甚至将达 33.9%。同时,......
随着个人计算机(PC)及电视机采用更纤薄优雅的外形因数,电源必须降低厚度,超便携计算机用的适配器也必须变成紧凑轻巧的旅行伴侣。 为了帮助符合此类目标,准方波谐振(QR)电源提供高开关能效,......
如今,电信及网络等应用中广泛采用分布式电源架构,使电源供应尽可能地贴近负载,从而为系统中的不同负载供电,并提供更高的可靠性、灵活性及散热性能。安森美半导体为这些应用提供宽广范围的分布式电源方案,其中既包括隔离型方案......
如今,随着人们对汽车的便利性、安全性、舒适性以及环保节能的要求越来越高,汽车已由最初的以机械部件为主演变至机电一体化,且对电子技术的依赖程度不断提高,越来越多的电子模块被集成以向汽车使用者提供更多功能。然而,这趋势......
高可靠性系统设计包括:采用容错设计方法、选择合适的组件以满足预期环境条件要求和符合技术标准要求。 本文专注于讨论实现高可靠性电源的半导体解决方案,这类电源包括冗余电路、电路保护和远端系统管理。文中还将重......
Cree的1.2kV,六组封装的碳化硅(SiC)功率模块系列产品自推出以来一直备受市场青睐,近来Cree公司又针对三相发电系统应用市场推出了最大输出电流可达20A的全碳化硅功率模块CCS020M12CM2,该功率模......
功率半导体领导厂商CREE的碳化硅功率MOSFET C2M0025120D属于N沟道增强型MOSFET,采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造,具有超高耐压,低导通阻抗的特点。该器件漏极-源极之......
Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品,拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET,这一突破900V SiC使我们的产品的新市场......