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中国人口老龄化进程正持续加快中:据联合国 2010 年的世界人口展望,2010 年中国 60 岁以上人口所占百分比为 12.3%,预计到 2030 年将增至 24.4%,到 2050 年甚至将达 33.9%。同时,......
随着个人计算机(PC)及电视机采用更纤薄优雅的外形因数,电源必须降低厚度,超便携计算机用的适配器也必须变成紧凑轻巧的旅行伴侣。 为了帮助符合此类目标,准方波谐振(QR)电源提供高开关能效,......
如今,电信及网络等应用中广泛采用分布式电源架构,使电源供应尽可能地贴近负载,从而为系统中的不同负载供电,并提供更高的可靠性、灵活性及散热性能。安森美半导体为这些应用提供宽广范围的分布式电源方案,其中既包括隔离型方案......
如今,随着人们对汽车的便利性、安全性、舒适性以及环保节能的要求越来越高,汽车已由最初的以机械部件为主演变至机电一体化,且对电子技术的依赖程度不断提高,越来越多的电子模块被集成以向汽车使用者提供更多功能。然而,这趋势......
高可靠性系统设计包括:采用容错设计方法、选择合适的组件以满足预期环境条件要求和符合技术标准要求。 本文专注于讨论实现高可靠性电源的半导体解决方案,这类电源包括冗余电路、电路保护和远端系统管理。文中还将重......
Cree的1.2kV,六组封装的碳化硅(SiC)功率模块系列产品自推出以来一直备受市场青睐,近来Cree公司又针对三相发电系统应用市场推出了最大输出电流可达20A的全碳化硅功率模块CCS020M12CM2,该功率模......
功率半导体领导厂商CREE的碳化硅功率MOSFET C2M0025120D属于N沟道增强型MOSFET,采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造,具有超高耐压,低导通阻抗的特点。该器件漏极-源极之......
Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品,拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET,这一突破900V SiC使我们的产品的新市场......
Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。Wo......
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直......