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2N366晶体管:材料: Ge；结构: npn；最大集电极功耗 (Pc): 150mW；最大集电极，基极电压 (Ucb): 30V；最大射极基极电压 (Ueb): 2V；最大集电极电流 (Ic max): 50mA；......
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在Q4截止期间（T0-T1）的电流通路如图所示。为C1提供直流恢复通路的这种非寻常的技术，其性能的改善超过了类似使用低电阻接在Q1和Q2发射极和B-之间。此种改进包括两个方面：大大减小了电源上的电流负载；在Q1和Q......
在脉冲输出期间，R6使Q2截止，电路作用和一般的单稳态多谐振荡器一样。当脉冲结束时，Q2导通，并由C1将一负脉冲送给Q4的基极。Q3饱和，对Ct提供了低阻抗充电通路。须选择足够大的C1使Q3饱和，直到Ct充分充电。......
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（......
此振荡器采用的电容电感比例非常大。 L1是一个量子线圈，由12号直径为12的线圈组成。此电路对于金属探测等需要使用环形天线时非常有用。 ......
这种100kHz振荡器比较少见，可作为标记发生器，校准通信接收器的模拟信号，振荡器输出可供电给分压器，做为时钟信号发生器产生稳定的低频率输出。 ......
本图是由晶体管等构成的高频压控振荡器电路。图(a)中，C2和C3为VT1的发射极到基极提供正反馈，在振荡频率时电抗设定较低值，为几百欧姆的阻值，目的是防止VT1参数的变化对谐振回路的影响。谐振频率随L1和变容二极管VC......
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态......
dolphin 2012-07-23
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dolphin 2012-07-20
