由晶体管等构成的高频压控振荡器电路图
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本图是由晶体管等构成的高频压控振荡器电路。图(a)中，C2和C3为VT1的发射极到基极提供正反馈，在振荡频率时电抗设定较低值，为几百欧姆的阻值，目的是防止VT1参数的变化对谐振回路的影响。谐振频率随L1和变容二极管VC1的容量而变化。振荡输出经C4进行阻抗变换，这样可使其不受负载变化的影响。
图(b)中，L1的值可根据振荡频率由实验方法来确定。用变容二极管VC1直接改变振荡频率，可使其电路工作在压控振荡器方式。振荡信号可从VT1的射极取出，再经VT2缓冲放大器输出。L2起阻抗变换作用，是用φ0.3的漆包线在环形心上双绕10圈而成的。
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