VMOS场效应晶体管谐振功放电路

本电路是175MHz VMOS场效晶体管谐振功放电路，该电路功率增益10dB，效率大于60%，可向负载提供10W功率。

栅极采用并馈，漏极采用串馈。

栅极采用C1、C2、C3、L1组成的T形匹配网络。

漏极采用L2、L3、C5、C7、C8组成的Π形匹配网络。

电路优点：

a.动态范围大（电压可达到几百伏，电流达几十安培），其转移特性线性范围大。

b.输入阻抗高（可达108Ω），要求输入信号功率小，栅偏流小。

c.工作频率高（多子导电，不存在少子储存效应）。

d.漏极电流的负温度系数可以防止二次击穿。

谐振功率放大器可以用作倍频器。如实现n倍频，只要将输出LC回路调谐在nω频率上（ω为输入信号频率）。