PW2309芯片，P沟道增强型MOSFET

一般说明
PW2309采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-60V，ID=-3A
RDS（开）180mΩ@VGS=-10V
提供3针SOT23-3封装
应用
电池保护
负荷开关
不间断电源

绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）

电气特性