PW2308芯片，N沟道增强型MOSFET

一般说明
PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征

• VDS=60V，ID=5A

• RDS（开）38mΩ@VGS=10V

• 提供3针SOT23-3封装

应用

• 电池保护

• 负荷开关

• 自动照明

绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）

电气特性（TA=25°C，除非另有说明。）