持续工作电流高达90A的1200V MOSFET

功率半导体领导厂商CREE的碳化硅功率MOSFET C2M0025120D属于N沟道增强型MOSFET，采用最新的C2MTM碳化硅 MOSFET技术制造，具有超高耐压，低导通阻抗的特点。该器件漏极-源极之间的最高电压可达1200V，而其导通阻抗的典型值仅为25mΩ。同时C2M0025120D的低寄生电容确保其具有高开关速度，工作频率可达1MHz。此外， C2M0025120D通过简单的设计即可并联工作，栅极门限电压典型值为3V，可以轻松的进行驱动操作。

图：碳化硅功率MOSFET C2M0025120D 

C2M0025120D封装为TO-247-3，晶体管在该尺寸即可以承受高达90A的持续工作电流，而其脉冲工作电流更是高达250A。其工作结温范围为-50~+150℃，自身功率耗散可以达到463W，这些优势均为C2M0025120D在大功率应用中提供了有力的保障。相比同类产品，C2M0025120D具有更高的系统效率，在增加功率密度的前提下，降低了芯片应用场景中对散热的要求。并且具有更高的开关频率。基于C2M0025120D优秀的大功率性能表现，C2M0025120D可广泛应用于太阳能逆变器、高电压DC-DC变换器、电池充电器、电动机驱动以及脉冲电源应用等。

C2M0025120D的主要特点：

• 新C2MTM  SiC MOSFET技术

• 最高耐压1200V，典型导通阻抗仅25mΩ

• 持续工作电流可达90A，脉冲电流最高可达250A

• 栅极-源极电压范围-10~25V，栅极门限电压典型值为3V，最低仅为1.8V

• 抗闩锁设计；

• 晶体管封装为TO-247-3；

• 工作结温范围-55~+150℃；

• 不含卤素，符合RoHS标准要求；