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MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中,和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于:首先驱动电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱......
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1 概述 三相电压型PWM整流器具有能量双向流动、网侧电流正弦化、低谐波输入电流、恒定直流电压控制、较小容量滤波器及高功率因数(近似为单位功率因数)等特征,有效地消除了传统整流器输入电流谐......
对于新人工程师而言,掌握绝缘栅双极型晶体管原理知识是非常重要的,这将会对工程师日后的产品设计和研发工作提供极大的帮助。在今天的文章中,我们将会就绝缘栅双极型晶体管原理知识展开基础科普,希望能够对各位新人......
设计和建造隔离,降压DC/DC转换器在可实现标准的5伏输出使用硅MOSFET但具有有限的性能宽输入电压范围和高输出电流,特别是在低负荷和高输入电压。更重要的是,硅成熟,从宽输入降压型DC / DC转换器挤出更多的果......
MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中,与MOSFET相比,双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中,成本和高电压(大于 1kV)是使用BJT而非MOSFET......
Cree的1.2kV,六组封装的碳化硅(SiC)功率模块系列产品自推出以来一直备受市场青睐,近来Cree公司又针对三相发电系统应用市场推出了最大输出电流可达20A的全碳化硅功率模块CCS020M12CM2,该功率模......
Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品,拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET,这一突破900V SiC使我们的产品的新市场......
Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。Wo......
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直......