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220V交流电经R1、C1降压,VD1稳压、V。D2整流和C2滤波后向电路提供低压直流电压。当RL空载和负载较小时。三极管VT1载止,VT2导通,执行继电器K得电闭合,负载正常供电。当负载超负荷时,采样电感L两端的感应......
MAX6495–MAX6499系列小型、低电流过压保护电路适用于汽车和工业等应用中的大电压跳变系统。这些器件监视输入电压,在出现输入过压时,控制外部n沟道MOSFET开关,隔离输出负载。MAX6495&nd......
两者都是开关元件,IGBT驱动功率小而饱和压降低。 前者可高频率开关 后者就差劲。 前者价格高。 IGBT的栅极G和发射极E发射极E IGBTIGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFE......
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化......
0 引言 本文通过电流驱动负载,设计了一种具有快速响应的电压转电流电路,同时采用PSPICE里的实际模型对电路进行了仿真,仿真响应时间为百ns。故该电路的设计对高速网络中有一定的参考价值。 1 电压转电流的理论分......
1 引言 MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中MOSFET一般工作在桥......
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用IR2117斩波器的MOSFET驱动电路IR2117的结构及特点决定了它可用来驱动一个高端或低端MOSFET或IGBT,图4给出了应用IR2117驱动MOSFET而设计的斩波器的系统原理图,图中PWM的脉冲形成由专用集......
用N-CH的MOSFET来进行BUCK电路控制在上图中,PWM信号是由信号发生器产生,仿真中采用的信号为60kHz,占空比为50%,幅值为5V。图中的0.22u电容作为升压储能元件,作为驱动MOSFET用的电源。开关功率......
800瓦MOSFET功放电路原理图电源部分如下: ......