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达林顿晶体管DT(Dar1ington Transistor)亦称复合晶体管。它采用复合过接方式,将两只或更多只晶体管的集电极连在一起,而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极,依次级连而成,最后引出E、B、......
装配式热电偶_装配式热电阻型号命名方法: 防爆热电偶型号命名方法: ......
s9014,s9013,s9015,s9012,s9018系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依......
半导体分立器件的命名方法 晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里主要讲下欧系和日系的命名规则,不详述美系和我国的命名规则。 1)国际电子联合会半导体器件命名法(欧系用的多) 表10国际电子联合会半导体器件型号命名......
可控硅(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。 1. 可控硅的特性。 ......
色标电容器的识别方法,色标电容器工作电压表示法,电容器后缀字母表示的误差。 ......
色环电容和电感标识方法见图表 ......
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间......
国际贴片电阻通用标识方法 ......
单结晶体管又叫双基极二极管,它的符号和外形见附图。 判断单结晶体管发射极E的方法是:把万用表置于R*100挡或R*1K挡,黑表笔接假设的发射极,红表笔接另外两极,当出现两次低电阻时,黑表笔接的就是单结晶体管的发射极......