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使用霍耳元件的可控硅过流保护电路

作者:dolphin时间:2009-07-06

在这个电路中还有一套可控硅过热保护电路,其中IC3为一只TO-220方式封装的型号为67L070二脚温度传感开关元件,它的动作温度为70℃,在平时常温状态下为常闭状态。它被安装在可控硅T3的散热器上。当可控硅由于过负荷或其他原因而使功耗大大增加,一旦散热器的温度达到70℃时,IC3将从常闭转为常开,这时T2将通过R10触发导通,D6也导通,使IC4断电截止,同时也使可控硅T3截止。与此同时,D7也导通,发光管L3被点亮,D6导通,蜂鸣器BU工作,发出报警声音。可控硅T2也能够一直保持导通状态。最后直到关闭控制电源为止。

使霍耳元件动作的电流大小可以通过调整两个U形磁心之间的间隔来决定,对于本电路所使用的40A可控硅来说,应将通过它的最大电流限制在小于40A,这里所使用的磁心截面为5mm×4mm,两磁心之间的间隔约为2.0mm左右,但由于不同磁性材料导磁率存在的差异以及霍耳元件的参数差异,具体间隔可能略有不同,实际保护电流的大小最好通过实测决定,并用胶封固在印刷板上。对两只霍耳元件安装的要求是,对正磁心截面,印字全部朝向一个方向。只有这样才能使两只霍耳元件分别检测交流电流的正负半周。

为了作进一步的保护,在主电路 还设有一个32A的空气开关,它的作用也是保护可控硅,同时也作为主电路的控制开关使用。

该保护电路的不足之处是当负载及电路发生严重短路问题时,对可控硅的保护作用略显不足,因为也曾经出现过可控硅被烧短路的情况,这主要是由于在保护电路动作之后,可控硅只能在电源过零之后才能自然关断,而空气开关的分断速度也是有限的。所以在必要时应采用“快熔”等其他措施来进行最后的短路保护。

该保护电路被大量应用在自行设计的4000W箱式电炉的温度控制器上,已经正常工作了四年时间,曾多次成功地避免了因负载异常而导致的过电流故障。



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