应用金属氧化硅的场效应晶体管电路

　　常常需要上升率很小的锯齿电压发生器，为了降低上升率，普通晶体管锯齿电压发生器需要一个很大的积分电容器。因为要减少负载和输出晶体管漏电流的影响，所以电容器充电电流必须很大。
　　当其用作拾取器件时，MOSFET有效地消除了负载和漏电流对积分电容器的影响。这就使电容器充电电流大为减小，因而也就减小了积分电容器的值。
　　MOSFET可以设计成源极跟踪器。其源极电压，通常比栅极电压高5~6伏。