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一种低压高线性CMOS模拟乘法器设计

作者:dolphin时间:2011-05-11

摘要:提出了一种新颖的CMOS四象限模拟乘法器电路,该乘法器基于交叉耦合平方电路结构,并采用减法电路来实现。它采用0.18μm CMOS工艺,使用HSPICE软件仿真。仿真结果显示,该乘法器电路在1.8 V的电源电压下工作时,静态功耗可低至80μW,其线性输入范围达到0.3 V,-3 dB带宽可达到1 GHz,而且与先前低电压乘法器电路相比,在同样的功耗和电源电压下,具有更好的线性度。
关键词:CMOS模拟乘法器;低压;高线性;减法电路
四象限模拟乘法器是模拟信号处理系统中的重要组成单元,它被广泛地应用于锁相环、频率变换、调制与解调、自适应滤波等许多模拟信号处理电路中。目前,适应于低压工作的CMOS四象限模拟乘法器由6个级联的两输入组合结构单元(Combiner)组成,这种结构已广泛应用于射频电路中,它的NMOS管分别对源漏相接,且通过负载电阻R直接到电源。因它的输入电压可直接控制晶体管电流,因而该乘法器工作所需要的电源电压很小,其最小的电源电压是NMOS栅源电压与负载电阻上的压降之和。但是这种乘法器结构含有较多的电流支路,电阻也相对较多,一定程度上增加了版图的面积和功耗,最重要的是该结构对MOS管的匹配有严格要求,否则线性度很难保证,这样也就对制造工艺提出了较高的要求。针对这一缺点,本文提出了一种新型模拟乘法器结构,它采用减法电路来提高电路的线性度。
1 电路工作原理
1.1 设计思路
图1给出适应于低压工作的CMOS四象限模拟乘法器结构(Cornbiner)。它的输出电压为:
输出电压:


式中:V1=Vx+v1;V2=Vx-v1;V3=Vy+v2;V4=Vy-v2;Vx,Vy是共模电平,v1,v2是差模电平;KN是晶体管的跨导参数;VTN是NMOS的阈值电压。

本文提出的新型模拟乘法器结构基于MOS管工作在饱和区的平方律特性实现了乘法运算,不仅省去图1所示乘法器电路中的多个电阻,也减少了电路的面积和功耗,最重要的是降低了晶体管对匹配的严格要求,因此可以提高电路的线性度。
图2所示为该乘法器电路的设计框图。由图可知,


不管A1,A2,A3,A4是常数或者与输入信号有关,假设A1=A2=A3=A4,Vidl=V1-V2,Vid2=V3-V4,最后的差分输出:


这样最终就实现了乘法运算功能。


1.2 电路实现
式(2)与式(3)中的平方运算可以由4个工作在饱和区的NMOS管实现,平方项中的减法运算可以由减法电路实现,如图3所示。



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