超宽带5W LDMOS，2GHz频段时增益仍高达22dB

英飞凌半导体公司近日推出一款型号为PTFC270051M超宽带大功率LDMOS FET，该器件工作频率范围为900~2700MHz，属于5W级功率放大场效应晶体管，可以满足绝大多数宽射频信号功率放大的要求。PTFC270051M具有优秀的增益表现，该器件工作在2GHz频段时，仍然可以实现高达22dB的增益效果。该LDMOS还具有极高的效率，在输入信号频率低于2GHz时，效率超过60%，在输入信号频率超过2GHz时，效率仍然可以保持在60%左右。此外，PTFC270051M具有出色的耐用性，可以承受高达10:1的驻波比失配。

PTFC270051M采用PG-ON-10封装，封装尺寸为4.0mm x 4.0mm，超小型封装节省了印制电路板面积，提高了硬件设计的灵活性。该器件虽然采用小封装，但仍然具有良好的输出功率表现，输出功率可以轻松达到5W甚至更高水平。基于PTFC270051M的大功率输出及超宽带特性，其可广泛应用于通信基站、直放站中作为功放的推动级，也可应用于Small Cell产品中作为末级功放。

超宽带5W LDMOS PTFC270051M

PTFC270051M的主要特点：

• 非匹配型

• 工作频段900~2700Mhz

• 工作电压28V，频率940Mhz，输出功率6.5W，其增益达23dB，效率为62%

• 工作电压28V，频率2170Mhz，输出功率7.3W，其增益达23dB，效率为60%

• 工作电压28V，频率2655Mhz，输出功率7.3W，其增益达19.9dB，效率为59.5%

• 优秀耐用性，可承受驻波比能够达到10:1

• 集成ESD保护功能，符合人体模型1A级标准要求（JESD22-A114）

• 封装采用PG-SON-10，尺寸为4.0 mm x 4.0 mm x1.42mm

• 不含铅（Pb-free），符合RoHS标准要求