集成ECC的CMOS静态RAM ，支持单双芯片使能

CY7C1041G和CY7C1041GE是由Cypress推出的带嵌入式ECC（纠错码）的高性能CMOS快速静态RAM器件。这两种器件均支持单、双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1041GE器件具有一个ERR引脚，用于通知读周期中的错误检测和纠正事件。通过将芯片使能（CE）、写入使能输入（WE）设置为低电平，并分别在器件数据引脚（I/O0 至I/O15）、地址引脚（A0 到A17）提供数据及地址，即可执行数据写入操作。

产品通过控制字节高电平使能（BHE）和字节低电平使能（BLE）的输入，来进行高字节、低字节写入指定存储器位置的操作。BHE 控制I/O8 至I/O15脚；BLE控制I/O0 至I/O7脚。通过设置芯片使能（CE）及输出使能（OE）输入为低电平，并提供地址上行所需的地址，便能执行读取操作，在I/O 线上（I/O0 至I/O15）读取数据。通过设置所需的字节使能信号（BHE或BLE），可以执行字节访问，即读取指定地址上高字节或低字节数据。

CY7C1041G/CY7C1041GE的特性：

  -高速：tAA = 10 ns

 -用于单比特错误纠正的嵌入式纠错码（ECC）

 -活动模式和待机模式只需低电流

                   有效电流ICC = 38 mA （典型值）

                   待机电流ISB2 = 6 mA （典型值）

 -工作电压范围：1.65 V至2.2 V，2.2 V至3.6 V，4.5 V至5.5 V

 -1.0 V 数据保持

 -TTL — 各兼容输入与输出

 -错误指示（ERR）引脚用于表示单位错误的检测及纠正

 -无铅44引脚SOJ、44引脚TSOP II和48球形焊盘VFBGA封装