SiC Mosfet门驱动光耦，具最大110ns传输延迟

一直以来，Avago（安华高科技）在多种应用中不断地提供了高性能的门极驱动、隔离放大器产品。这些产品具有低传输延迟、快速 IGBT（硅晶体管） 开关、高共模瞬变抑制能力和加强绝缘能力，非常适合那种微控制器与高电压间的隔离应用。如今，Cree（科锐）的Sic (碳化硅) Mosfet与Avago隔离产品配合开发，能够为客户提供开关速度更快、工作电压范围更广的门驱动光电耦合器设备。

ACPL-W349-000E就是这样一款由Avago推出的2.5A高速门驱动光电耦合器，包含一个AlGaAs LED，并与一个功率输出集成电路进行光电耦合。与Avago前一代的设备相比，该产品的最大特点是：最大传输延迟仅为110ns、输出级的高工作电压范围从+15V到+30V，可以给更广泛的高电压、大功率门控设备提供驱动电压。

另外值得一提的是，ACPL- W349-000E完美补充了具有最低开关损耗，能够提供更高的开关速度以驱动高开关频率的Cree SiC Mosfet，以及最大功率的转换效率。同时，与其它类似额定值的硅功率器件相比，SiC Mosfet本身还大大减小了磁性元件和滤波器元件的尺寸，减低了重量并对冷却要求大幅降低。

 

图 高速门驱动光电耦合器ACPL-W349-000E

ACPL- W349-000E还支持轨对轨输出电压及高峰值输出电流，非常适于直接驱动额定值达1200V/100A的MOSFET和IGBT。它已通过了IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 、UL1577规定的安全标准：高绝缘电压VIORM为1140 VPEAK 、高绝缘耐压为5000 VRMS/min。该产品主要用于以SiC和GaN(氮化镓)为材料的功率半导体器件等的高速门极驱动，包括IGBT的驱动，用于保护和驱动电力用工业逆变器装置、可再生能源逆变器、混合驱动汽车、电机驱动设备、开关电源(SPS)等。

ACPL-W349-000E的特点：

       •2.5A 最大峰值输出电流；宽VCC工作电压范围：15V 至 30V

       •最大传输延迟：110ns；最大传输延迟差异：50ns

       •轨对轨输出电压；VCM= 1500V 时，共模抑制 (CMR) 能力至少达 50-kV/μs

       •LED 电流输入；ICC = 4.2mA 最大供电电流

       •提供欠压锁定 (UVLO) 保护；采用6端子SO封装

       •工业级温度范围：-40°C 至 105°C

       •安全规范认证：

         UL 认证 5000 VRMS 每分钟

         CSA 认证

         IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 VIORM = 1140 VPEAK

•可选方案包括：

060E = IEC/EN/DIN EN 60747-5-5

500E = 卷带式封装方案

XXXE = 无铅