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用宽禁带(WBG)设备的可用性,许多电源设计师已经开始调查FET的基于氮化镓上硅(上GaN-Si)的,适用于各种新的设计和新兴的应用的优点。住在调与客户,一些供应商已经出现,以满足这些需求。然而,走上这条道路之前,......
功率氮化镓 (GaN) 器件是电源设计人员工具箱内令人激动的新成员。特别是对于那些想要深入研究GaN的较高开关频率如何能够导致更高频率和更高功率密度的开发人员更是如此。RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术,由......