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参考设计

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电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

amy2025 2025-05-20

在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。建立仿真我们将在接下来的测试和模拟中使用一些新一代 SiC 和GaN FET ......

氮化镓 SiC 功率MOSFET

动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

amy2025 2025-05-20

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......

氮化镓(GaN) 碳化硅(SiC)

电力电子课程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT

amy2025 2025-05-16

让我们继续探索电力电子中使用的组件，忽略那些在开关状态中用作开关的组件，同时使用一些SPICE 模拟来观察它们的一般行为。开关速度、最大容许电压和电流，以及最重要的是 Rds (on)参数的降低只是最新模型改进的几个例子......

电力电子 MOSFET IGBT

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性

amy2025 2025-05-16

碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料，未来它肯定会取代硅用于大功率应用。为了更好地管理 SiC 器件，有必要创建一个足够的驱动程序，以保证其清晰的激活或停用。通常，要关闭它，“栅极”和“源极”之间需要大约 20......

SiCMOSFET 碳化硅(SiC)

MOSFET A类放大器

fanxiaoxi 2025-03-28

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MOSFET 放大器

TX-KD102 MOSFET或IGBT的原理框图

fanxiaoxi 2025-03-18

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IGBT MOSFET TX-KD102

12W场效应管音频放大器电路图

fanxiaoxi 2024-10-25

这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz 时失真系数为 0.002%，频率响应为 15 Hz 至......

MOSFET 功率放大器 场效应管 晶体管 电路图

基于FET的100W音频放大器电路图

fanxiaoxi 2024-10-25

该 100W 音频放大器设计采用两个 V-MOSFET 晶体管技术作为输出级，可在 4 Ω 负载下提供 100W 输出。重要的是，通过添加散热器或风扇等方式使输出级的晶体管保持凉爽。对于这种高功率场效应晶体管放大器，使用......

FET MOSFET 晶体管 电路图 音频放大器

图腾柱无桥PFC电路的工作原理及仿真分析

fanxiaoxi 2024-07-12

图腾无桥PFC电路，自己第一次接触，看了几篇论文学习了一下其相关的知识，简单总结一下分享出来，希望对大家有所帮助。图腾无桥是一种简单、效率高且成本低的功率因数校正电路，其电路结构如图一所示：  图一 ......

MOSFET 整流电路 PFC 仿真分析 MOSFET PF

一文详解同步与非同步Buck电源

fanxiaoxi 2024-07-12

首先，要区分同步和非同步的概念。通俗一点：在应用中上管和下管都有场效应管的就是同步的。只有一个上管的开关就是非同步的，因为在非同步电源中，下管是一个二极管不需要控制，也就不存在控制器同步的问题。图1.30和1.31下图以......

二极管 MOSFET BUCK 开关管 BUCK电源
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