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H桥IGBT功率单元本文中的实验装置是一台单相 H 桥IGBT 功率单元，其拓扑结构如图1 所示。其中，电容C1、C2 各由四个6800 μF 电解电容并联组成，开关器件为三菱公司的半桥IGBT 模块CM300DY－24......
GA系列IGBT半桥、高端开关和低端开关型模块的内部接线电路 ......
图所示是由RC组成的正激变换器的缓冲电路。图中，当Q关断时，集电极电压开始上升到2Vdc，而电容C限制了集电极电压的上升速度，同时减小了上升电压和下降电流的重叠，从而减低了开关管Q的损耗。而在下次开关关断之前，C必须将已......
带有RC的非门环形振荡器实验电路图中为带有RC延迟电路的非门环形自激多谐振荡器实验电路。振荡电路由非门IC1、IC2、IC3及定时电路元件RP、C等组成，由IC3输出矩形波信号。R1为保护电阻器，避免定时电容器c反向放电......
igbt保护电路短路保护电路的设计:由对图1所示电路的分析,可以得到igbt短路保护电路的原理更详细请查看：新型IGBT短路保护电路的设计 ......
由综合放大电路板（ZHFD）产生的输出信号被送入SG3526，产生PWM脉冲，此信号与反馈信号进行逻辑运算后送入HL403B厚膜驱动器，当IGBT产生过流、短路故障时，借助于IGBT内部的短路、欠饱和、软关断、降栅压保护......
IGBT的保护措施，主要包括过压保护和过流保护两类。使用中，对于IGBT因关断而产生的开关浪涌电压，可以采用适当的缓冲回路抑制它，使器件免于损坏。 ......
在IGBT的栅极电路中，主要考虑的因素包括栅极电压U的正、负及栅极电阻R的大小。它们对IGBT的导通电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力及等参数均有不同的程度的影响。 ......
IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示，与GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制参数是栅源电压，而不是基极电流。 ......
IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下，增加一个P+层发射极而行程pn，如图1-31所示，就构成IGBT。......
dolphin 2012-08-02
dolphin 2012-08-02
dolphin 2012-07-30
