首页->gan ic
氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 提高了转换器效率,与具有相同额定电压的硅 FET 相比,具有更低的栅极电荷、更低的输出电荷和更低的导通电阻。在总线电压大于 380V 的高压 DC/DC 转换器应用中......
我最近与您分享了TI 全新 Piccolo™ F28004x 微控制器 (MCU) 系列的生产公告,该系列针对电源控制应用进行了优化。Piccolo F28004x 用于高性能电源控制的主要特性包括:·片上窗口比较器。·......
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅,因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受,但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......
碳化硅MOSFET基于硅 (Si) 的电力电子产品长期以来一直主导着电力电子行业。由于其重要的优势,碳化硅(SiC)近年来在市场上获得了很大的空间。随着新材料的应用,电子开关的静态和动态电气特性得到了显着改善。理想的开关......
这些年,英特尔、三星、台积电在制程上的恩恩怨怨,堪比武侠小说中恩怨情仇。这些大厂的争斗均是围绕14纳米和16纳米,那么问题来了,这个14纳米和16纳米有什么好争的?下面芯易网就来简单做一下介绍。纳米到底有多小想要了解纳米......
从设计到制作,经过一系列的流程后一颗IC芯片终于“诞生”了,接下来就是将其封装起来。但想要把它装到电路板上,确是一件费力的事。目前电子元器件行业中,IC有两种常见的封装办法:一种是BGA封装(Ball Grid Arra......
ETA1061:超低静态电流升压转换器,内置温度传感器ETA1061脚位图.pngETA1061应用电力路.png产品介绍ETA1061是一种高效同步1uA超低静态电流升压转换器。它能够在低电压源下输出至少2W的功率,即......
概述:VK1024B 是一个6×4的LCD驱动器,可软体程式控制使其适用于多样化的LCD应用线路,仅用到3至4条信号线便可控制LCD驱动器,除此之外也可介由指令使其進入省电模式。(C21-28)特点: 工作电压:2.4~......
型号:VK1629 品牌:永嘉微电/VINKA 封装:LQFP44年份:新年份 工程服务,技术支持(C21-81)VK1629是一种带键盘扫描接口的数码管或点阵LED驱动控制专用芯片,内部集成有......
产品特点:VK36W1D具有1个触摸检测通道,可用来检测水从无到有和水从有到无的动作。该芯片具有较高的集成度,仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测。 提供了1路开漏输出功能。芯片内部采用特殊的集成电路,具有高电源电压......