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IGBT在应用中要解决的主要问题就是如何在过流,短路和过压的情况下对IGBT实行比较完善的保护.过流故障一般需要稍长的时间才使电源过热,因此对它的保护都由主控制板来解决.图中,C=10~470μF,Rlimit=10~1......
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这是基于一对FET元件在最终放大过程中构建的100W功率音频放大器电路图。 FET 元件使用一对 K134 和 J49,这些 FET 的替代品是 J162 和 K1058 的组合。 8欧姆扬声器的输出功率约为100W。对......
该 100W 音频放大器设计采用两个 V-MOSFET 晶体管技术作为输出级,可在 4 Ω 负载下提供 100W 输出。重要的是,通过添加散热器或风扇等方式使输出级的晶体管保持凉爽。对于这种高功率场效应晶体管放大器,使用......
自举升压驱动芯片在MOS/IGBT的驱动中应用已经十分广泛,自举升压作为产生浮地电源的普遍方法,应用起来十分便捷,行之有效。自举升压驱动芯片将自举升压电源和大电流门极驱动集成在同一个芯片,通过一个低压供电的驱动芯片同时驱......
一、原理简介电磁炉是应用电磁感应加热原理,利用电流通过线圈产生磁场,该磁场的磁力线通过铁质锅底部的磁条形成闭合回路时会产生无数小涡流,使铁质锅体的铁分子高速动动产生热量,然后加热锅中的食物。二、电磁炉的原理方块图三、电磁......
之前了解了BOOST升压电路的原理,再来理解升压充电就容易多了。我们观察下,发现升压电路的实现,无非就是输入端的电源Vin,储存电流的电感L,开关器件(可以是MOSFET,也可以是IGBT等),二极管D,储存电荷的电容C......