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阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时,电流达到10mA时的电......
MOS管定期导通和关断mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的......
在MOS管选择方面,系统请求相关的几个重要参数是:1. 负载电流IL。它直接决议于MOSFET的输出才能;2. 输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比才能限制;3. mos开关频率FS。这个参数影响MOSFET开关霎......
MAX6495–MAX6499系列小型、低电流过压保护电路适用于汽车和工业等应用中的大电压跳变系统。这些器件监视输入电压,在出现输入过压时,控制外部n沟道MOSFET开关,隔离输出负载。MAX6495&nd......
两者都是开关元件,IGBT驱动功率小而饱和压降低。 前者可高频率开关 后者就差劲。 前者价格高。 IGBT的栅极G和发射极E发射极E IGBTIGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFE......
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化......
1 引言 MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中MOSFET一般工作在桥......
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用IR2117斩波器的MOSFET驱动电路IR2117的结构及特点决定了它可用来驱动一个高端或低端MOSFET或IGBT,图4给出了应用IR2117驱动MOSFET而设计的斩波器的系统原理图,图中PWM的脉冲形成由专用集......
用N-CH的MOSFET来进行BUCK电路控制在上图中,PWM信号是由信号发生器产生,仿真中采用的信号为60kHz,占空比为50%,幅值为5V。图中的0.22u电容作为升压储能元件,作为驱动MOSFET用的电源。开关功率......