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微处理器的输出,通过7414中的一个反相器,去驱动光电耦合器中的发光二极管。光电晶体管的输出,用来控制跨接于全波二极管电桥的可控硅。流过电桥和可控硅的电流,使双向可控硅(TRIAC)导通,因而交流电流能够流过负载。双向可......
今天我们来介绍一款12V转交流220V逆变器电路图(详见下图所示)。该电路图主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者制作中采用。 ......
1.MOS控制晶闸管(MCT)MOS控制晶闸管(MCT)的静态特性与晶闸管相似,由于它的输入端由MOS管控制,MCT属场控型器件,其开关速度快,驱动电路比GTO的驱动电路要简单;MCT的输出端为晶闸管结构,其通态压降较低......
CMOS问世比TTL较晚,但发展较快,大有后来者居上、赶超并取代之势。 1、组成结构 CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字头缩......
场效应管有三个电极,即S(源极)、G(栅极)、D(漏极)。在G、S和G、D极间分别形成两个PN结。场效应管分两类:一类是结型场效应管(J—FET管),另一类是绝缘栅场效应管(MOS管)。MOS管又有&ldq......
1.TTL与非门的主要参数TTL与非门具有较高的工作速度、较强的抗干扰能力、较大的输出幅度和负载能力等优点,因而得到了广泛的应用。(1)输出高电平VoH:输出高电平是指与非门有一个以上输入端接地或接低电平时的输出电平值。......
所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H 桥电路,它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成,所以它叫P-NMOS 管H 桥。 桥臂上的4 个场效应管相当于四个开关,P 型......
usb转ttl电路图......
N沟道MOS管的结构及工作原理 N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理 结型场效应管的输入电阻虽然可达106~109W,但在要求输入电阻更高的场合,还是不能满足要求。而且,由于它的输入电阻是PN结......
MOS集成电路特点: 制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。 MOS集成电路包括: NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由......