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当PN结加反向偏压时,外加电场方向与PN结的内建电场方向一致,势垒加强,在PN结界面附近载流子基本上耗尽形成耗尽区。当光束入射到PN结上,且光子能量hv大于半导体材料的带隙Eg时,价带上的电子吸收光子能量跃迁到导......