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参考设计

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1000MHz射频功率MOSFET方案MRFE6S9045NR1

angelazhang 2015-01-25

方案概述 MRFE6S9045NR1专为频率达1000MHz的宽带商用和工业电子应用而设计，该器件的高增益和宽带性能使其非常适合28V基站设备中的大信号共源放大......

射频 MOSFET MRFE6S9045NR1

700-1000MHz射频功率MOSFET方案MRF8S9120NR3

angelazhang 2015-01-25

方案概述 MRF8S9120NR3专为频率为700-1000MHz的CDMA基站应用而设计，可用于AB类和C类典型蜂窝基站调制方式。 ......

射频 MOSFET MRF8S9120NR3

450-1500MHz射频功率MOSFET方案MW6S010NR1

angelazhang 2015-01-25

方案概述 MW6S010NR1和MW6S010GNR1专为频率达1500MHz的A类和AB类基站应用而设计，适合模拟和数字调制以及多载波放大应用。 ......

射频 MOSFET MW6S010NR1

2110-2170MHz射频功率MOSFET方案MRF8S21200HR6

angelazhang 2015-01-25

方案概述 MRF8S21200HR6和MRF8S21200HSR6专为2110-2170MHz WCDMA和LTE基站应用而设计，可用于AB类和C类典型蜂窝基站......

射频 MOSFET WCDMA LTE MRF8S2

1805-1880MHz射频功率MOSFET方案MRF8S18260HSR6

angelazhang 2015-01-25

方案概述 MRF8S18260HR6和MRF8S18260HSR6专为1805-1880MHz CDMA和多载波基站应用而设计，可用于AB类和C类典型蜂窝基站调......

射频 MOSFET CDMA MRF8S18260HS

2110-2170MHz射频功率MOSFET方案MRF8S21100

angelazhang 2015-01-25

方案概述 MRF8S21100HR3和MRF8S21100HSR3专为WCDMA和LTE基站2110MHz-2171MHz频率应用而设计，可用于AB类和C类典型......

射频 MOSFET WCDMA LTE MRF8S2

920-960MHz射频功率MOSFET方案MRF8S9170NR3

angelazhang 2015-01-25

方案概述 MRF8S9170NR3为频率从920MHz至960 MHz的CDMA基站应用而设计，可用于AB类和C类典型蜂窝基站调制方式。MRF8S9170NR4......

射频 MOSFET 基站 MRF8S9170NR3

用于锂电池的30V负载开关MOSFET AON5802B

angelazhang 2015-01-25

方案概述 AON5802B采用先进的沟槽技术提供了出色的RDS(ON)，低栅极电荷，可在低至2.5V的栅极电压下工作，同时保持12V VGS(MAX)。ESD保......

锂电池 负载开关 MOSFET AON5802B

锂电池单向或双向负载开关MOSFET AON5820

angelazhang 2015-01-25

方案概述 AON5820采用先进的沟槽技术提供了出色的RDS(ON)，低栅极电荷，可在低至2.5V的栅极电压下工作，同时保持12V VGS(MAX)。ESD保护......

锂电池 负载开关 MOSFET AON5820

HID

angelazhang 2014-12-31

功能框图 主要特性和优势 ......

汽车HID MOSFET
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