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碳化硅设备或设备因在不久的将来有可能在电力电子设备(特别是大功率转换器应用)中替代硅的传统设备而闻名。1由于宽带隙的可用性,高功率密度,较低的电阻和快速的开关频率,所有这些都是可能的。高可靠性电源系统需要复杂,苛刻和复杂......
IR2110应用的典型连接图 IR2110的典型应用连接见图12-37。通常,它的输出级的工作电源是一悬浮电源,这是通过一种自举技术由固定的电源得来的。充电二极管VD的耐压能力必须大于高压母线的峰值电压,为了减小功......
功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件,它不但具有自关断能力,而且具有驱动功率小,关断速度快等优点,是目前开关电源中常用的开关器件。采用MOSFET 控制的开关电源具有体积小、重量轻、效率高、成本低的优势,因此......
阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时,电流达到10mA时的电......
MOS管定期导通和关断mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的......
在MOS管选择方面,系统请求相关的几个重要参数是:1. 负载电流IL。它直接决议于MOSFET的输出才能;2. 输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比才能限制;3. mos开关频率FS。这个参数影响MOSFET开关霎......
MAX6495–MAX6499系列小型、低电流过压保护电路适用于汽车和工业等应用中的大电压跳变系统。这些器件监视输入电压,在出现输入过压时,控制外部n沟道MOSFET开关,隔离输出负载。MAX6495&nd......
两者都是开关元件,IGBT驱动功率小而饱和压降低。 前者可高频率开关 后者就差劲。 前者价格高。 IGBT的栅极G和发射极E发射极E IGBTIGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFE......
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化......
1 引言 MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中MOSFET一般工作在桥......